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技術文(wén)章(zhāng) / article
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絕緣(yuán)漆在集成電路中(zhōng)也有(yǒu)應(yīng)用(yòng)

更新(xīn)時(shí)間:2018-06-11 瀏覽次數:3418

    表(biǎo)性(xìng)的集成電路有(yǒu)襯(chèn)底(dǐ)為矽(guī)單(dān)晶(jīng)的雙(shuāng)極性Ic以及(jí)MOS IC(金屬一氧(yǎng)化物一(yī)半導體堆)等半導體集(jí)成(chéng)電路(lù)。本文將(jiāng)要討(tǎo)論以超(chāo)高(gāo)集成(chéng)化(VLSI)和(hé)超高(gāo)速(sù)化(huà)為(wéi)方向而開發的這(zhè)些半導(dǎo)體(tǐ)集成電(diàn)路(lù)中絕緣漆所起(qǐ)的作(zuò)用,以及(jí)伴隨著超(chāo)I.SI化(huà)的(dí)發展,今(jīn)後(hòu)將提(tí)出什麼(mó)樣(yàng)的絕(jué)緣膜技(jì)術(shù)等。
  半導體集成電路是在一個單(dān)晶基片上(shàng)形成非常多的(已達(dá)10s元(yuán)件/芯(xīn)片(piàn))雙極晶體管(guǎn)和MOS晶(jīng)體(tǐ)管等(děng)器(qì)件,為了(liǎo)發(fā)揮各自(zì)所定(dìng)的(dí)功能(néng),並用(yòng)布綫互(hù)相連結(jié)起來。在這(zhè)種(zhǒng)半(bàn)導體集(jí)成(chéng)電路中(zhōng),對(duì)絕緣(yuán)漆(qī)的(dí)利用(yòng),可根據其作(zuò)用(yòng)和所(suǒ)要(yào)求(qiú)的(dí)特(tè)性以及在(zài)膜形(xíng)成工藝中所(suǒ)提出(chū)的(dí)條(tiáo)件,分類如下(xià):
  1,例(lì)如MOS晶體管(guǎn)中(zhōng)的柵絕緣膜(mó),利用了(liǎo)絕緣漆(qī)/半導(dǎo)體界麵現象(xiàng),由(yóu)此可實(shí)現(xiàn)有(yǒu)源(yuán)器件(jiàn)的功能;
  2,和器件(jiàn)相接(jiē)觸(chù),如(rú)覆蓋在(zài)晶體表(biǎo)麵的SiOz膜(mó),可以使晶體(tǐ)表(biǎo)麵的(dí)化(huà)學性(xìng)質以(yǐ)及電(diàn)學(xué)性質(zhì)不(bù)活潑,從而(ér)達(dá)到穩定(dìng)器件特性的目(mù)的(dí);
  3,如(rú)在器件(jiàn)之間(jiān)的晶體表麵上形成(chéng)的SiOz膜(mó),使器件(jiàn)之間(jiān)電(diàn)氣隔離並在表麵上(shàng)相互(hù)布(bù)綫(xiàn)為目的(dí)的絕(jué)緣(yuán)漆(場(cháng)氧化膜);
  4,布綫層(céng)之間(jiān)電氣(qì)絕(jué)緣為目(mù)的的層(céng)間絕緣漆(qī);
  5,從(cóng)物理(lǐ)的(dí)和化學的角(jiǎo)度(dù)保(bǎo)護器件(jiàn)為(wéi)目(mù)的,在(zài)集(jí)成電(diàn)路的(dí)表麵(miàn)上形(xíng)成(chéng)的作(zuò)為表麵覆(fù)蓋(gài)膜(mó)的(dí)絕緣(yuán)漆(qī);
  6,用(yòng)於集成電(diàn)路(lù)工(gōng)藝(yì)\中,並用在(zài)雜(zá)質(zhì)擴(kuò)散,腐(fǔ)蝕,襯底(dǐ)表麵氧化等進行(háng)局部工藝(yì)時(shí)的(dí)掩模等。
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